本书根据教育部新的课程改革要求，在已取得多项教学改革成果的基础上进行编写。内容主要包括半导体物理与晶体管原理两部分，其中，第1章介绍半导体特性，第2～3章系统阐述PN结和双极晶体管及其特性，第4～5章系统阐述半导体的表面特性和MOS型晶体管，第6章介绍其他常用的半导体器件。全书结合高等职业院校的教学特点和集成电路类专业

本书针对硅基集成衍射光学神经网络(DONN)高集成度、高计算容量以及计算单元大规模拓展等关键科学问题展开系统研究,取得了创新性研究成果。具体包括硅基集成DONN的理论探索、结构设计、仿真计算以及芯片制造、封装、测试和实验系统误差补偿等方面工作。本书共分为五章,第一章介绍了神经网络的发展条件及现阶段存在的算力瓶颈。第二章

本书以作者近年来的研究成果为基础,结合国内外研究进展,系统地介绍超宽禁带半导体金刚石单晶材料的同质外延研究进展及发展趋势。在高质量单晶金刚石材料生长基础上,进一步介绍金刚石场效应晶体管及在反相器和整流电路中的应用,对于后续的相关领域的研究人员有着重要的参考价值。全书共7章,内容包括绪论、单晶金刚石材料同质外延及加工、金

本书系统梳理了玻璃通孔技术从基础材料到封装应用的全链路知识体系。在材料层面,重点介绍了玻璃的制造工艺、基本特性及其电学性能;在关键工艺方面,阐述了玻璃通孔的加工、金属填充与表面布线技术;在封装应用部分,涵盖了玻璃转接板、玻璃基埋人式扇出型封装、集成无源器件及光电共封装等前沿技术。

本书围绕功率半导体器件的基本结构与原理，从培养高层次专业技术人才、不断提高器件设计水平的目标出发，系统地介绍了各种功率半导体器件的结构类型、制作工艺、工作原理、静动态特性及设计方法。内容包括功率二极管（功率PIN二极管、功率SBD、MPS）、功率晶体管（功率双极型晶体管、功率MOSFET、IGBT）、普通晶闸管及其派生

本书系统地介绍了碳化硅MOSFET在应用中的关键技术要领及核心问题，重点在于碳化硅MOSFET的封装、特性及测试和驱动，具体内容包括碳化硅器件概述、功率器件封装基础、静动态特性、短路及串并联特性、应用问题及解决方法、栅极驱动和新型栅极驱动等内容。本书内容设置注重前后知识的衔接和逻辑关系，构建系统性知识框架。书中内容主要

本书内容涵盖了数学、量子力学和能带理论等半导体材料与器件知识的理论准备，半导体材料和器件的基本概念、规律，以及半导体材料与器件的知识应用，力求从理论基础到实际应用，为读者提供全面而深入的知识体系。

本书系统介绍了宽禁带功率器件的应用场景和发展趋势，梳理了宽禁带功率器件开关动态测试的技术需求与难题挑战，阐述了宽禁带功率器件的开关动态测试的电路、系统和方法，分析了宽禁带功率器件用测试仪器的理论模型和标定方法，探讨了高带宽、低杂感的分流器电流探头创新概念，给出了高带宽、高精度的罗氏线圈电流探头设计方法，提出了高带宽、高

本书以半导体工艺和器件的仿真为主线，按照由简入繁、由低及高的原则循序深入，从仿真的数理基础及对TCAD/WebTCAD的认识出发、以半导体工艺基础及器件基础为知识储备，引出对基于WebTCAD的二维工艺仿真及二维器件仿真的详细介绍，并在此基础上介绍WebTCAD的实例库及具体应用，从而达到能熟练使用WebTCAD来进行

全书共有5章，首先讲解了包括功率半导体器件基础，如种类、结构、在电路中的作用等；接着阐述了硅功率半导体器件现状，重点聚焦SiC功率半导体器件，并深入探讨了SiC-MOSFET的结构、原理、应用、发展现状、面临的挑战及解决方法，详细论述了其耐受能力指标，如短路、关断等耐受能力，最后讲解了SiC-MOSFET封装技术。