宇航MOSFET器件单粒子辐射加固技术与实践

定　　价：98 元

• 作者：付晓君[等]编著
• 出版时间：2023/5/1
• ISBN：9787576705416
• 出 版 社：哈尔滨工业大学出版社

• 中图法分类：TN323 
• 页码：250页
• 版次：1
• 开本：24cm

内容简介

本书系统介绍宇航MOSFET器件的单粒子效应机理和加固技术。全书共6章，主要内容包括空间辐射环境与基本辐射效应、宇航MOSFET器件的空间辐射效应及损伤模型、宇航MOSFET器件抗单粒子辐射加固技术、宇航MOSFET器件测试技术与辐照试验，并以一款宇航VDMOS器件为实例，详述了抗单粒子加固样品的结构设计和制造工艺细节，最后介绍宇航MOSFET器件的应用及发展趋势。