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碳化硅功率模块设计
定 价:119 元
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作者:(日)阿尔贝托·卡斯特拉齐(AlbertoCastellazzi)等著
出版时间:2024/12/1
ISBN:9787111766544
出 版 社:机械工业出版社
中图法分类:
TN303
页码:248页
纸张:
版次:1
开本:24cm
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内容简介
本书详细介绍了多芯片SiCMOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案,主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等。本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiCMOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导,兼具理论价值和实际应用价值。
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