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射频高阻硅基氮化镓异质结外延器件仿真设计及制备技术
定 价:79 元
作者:关赫著
出版时间:2024/2/1
ISBN:9787561292181
出 版 社:西北工业大学出版社
中图法分类:
TN4
页码:214页
纸张:
版次:
开本:24cm
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内容简介
本书以行业内高阻硅(HRSi)基氨化镓外延和材料的研究成果为基础,以仿真设计为切入点,结合制备工艺,开展了基于高阻Si(111)衬底的氮化镓(GaN)异质结外延器件的技术研究。
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