本书对氘代产品的全球及中国专利状况进行了全面剖析, 同时对氘代药物、氘代光电材料、氘代聚合物、氘代含能材料技术领域等技术发展前沿热点、竞争对手、专利运营以及重要专利进行了多维度深入分析, 结合分析内容提出氘代产品的研究方向和专利布局建议。
陈柏强，1982年生，湖南湘潭人，现任北京理工大学技术转移中心主任，副研究员、硕士生导师。先后在北京理工大学和中国科学院软件研究所获学士和博士学位，此后长期在高校从事科技成果转化与知识产权运营工作，成功推动多项重大成果实现产业化。应多部委邀请深度参与重要政策研究与文件起草工作，积极推动成果转化税收优惠、技术转移研究生教育、职务科技成果赋权试点及“先赋权后行权”模式创新、“事业化管理+市场化运营”新型技术转移机构建设等改革创新。荣获工业和信息化部优秀研究成果奖二、三等奖等奖励，入选中国科协“科创中国”技术经理人先锋榜等榜单，兼任北京高校技术转移联盟联席理事长/秘书长等社会职务。
冀小强2002年毕业于北京航空航天大学，正高级知识产权师，全国专利信息领军人才，国家知识产权局高层次人才，北京市海淀区创新领军人才。长期从事发明专利审查、专利分类审查、专利信息开发利用等工作。曾参与国家重点研发计划“知识产权信息共享与运营服务应用示范”等多项知识产权研究课题项目，先后负责过30多项面向政府及企业的专利技术动向研究、专利分析预警、专利分析评议、专利竞争情报等研究项目，研究成果多次荣获全国知识产权优秀调查研究报告暨优秀软科学研究成果奖。
张瑶毕业于北京理工大学，现任北京理工大学技术转移中心总工程师，副研究员，具有十余年知识产权工作经验。曾任职于国家知识产权局专利局专利审查协作北京中心，国家知识产权局骨干人才，从事发明专利实审、复审以及PCT国际检索、国际初步审查。发表数篇知识产权相关技术文章，出版专业书籍，参与多项知识产权研究课题和项目，为企业、高校和科研院所提供知识产权和成果转化服务。
目录
第1 章 绪 论…………………………………………………………………… 1
1. 1 技术概况………………………………………………………………… 1
1. 1. 1 氘代药物技术……………………………………………………… 1
1. 1. 2 氘代光电材料技术………………………………………………… 3
1. 1. 3 氘代聚合物技术…………………………………………………… 5
1. 1. 4 氘代含能材料技术………………………………………………… 9
1. 2 研究内容及方法………………………………………………………… 12
1. 2. 1 技术分解…………………………………………………………… 12
1. 2. 2 数据采集处理……………………………………………………… 18
1. 2. 3 研究内容和方法…………………………………………………… 20
1. 2. 4 术语解释和说明……………………………………………………
第2 章 氘代产品全球专利技术竞争态势…………………………………… 23
2. 1 全球专利技术创新趋势………………………………………………… 23
2. 1. 1 全球专利申请态势………………………………………………… 23
2. 1. 2 氘代产品重点技术发展趋势……………………………………… 25
2. 2 专利技术创新区域竞争分析…………………………………………… 33
2. 2. 1 全球专利技术创新区域分布……………………………………… 33
2. 2. 2 主要创新区域专利申请趋势及域外布局………………………… 34
2. 2. 3 重点技术创新区域竞争…………………………………………… 36
2. 3 氘代产品专利布局目标市场竞争分析………………………………… 41
2. 3. 1 全球专利布局目标市场分布……………………………………… 41
2. 3. 2 专利布局主要目标市场专利申请趋势…………………………… 44
2. 3. 3 中美韩日欧五国/ 地区专利技术动向…………………………… 46
2. 3. 4 重点技术专利布局目标市场竞争………………………………… 47
2. 4 全球专利技术创新主体分析…………………………………………… 52
2. 4. 1 创新主体专利技术集中度………………………………………… 52
2. 4. 2 氘代产品全球专利技术创新主体排名…………………………… 54
2. 4. 3 重点技术创新主体排名…………………………………………… 56
2. 5 小 结…………………………………………………………………… 58
第3 章 氘代产品中国专利技术竞争态势…………………………………… 60
3. 1 氘代产品中国市场专利技术创新趋势………………………………… 60
3. 1. 1 中国市场专利申请态势…………………………………………… 60
3. 1. 2 氘代产品中国市场专利布局结构及重点技术发展趋势………… 61
3. 2 氘代产品国外在华专利布局…………………………………………… 68
3. 2. 1 中国市场氘代产品专利技术输入国……………………………… 68
3. 2. 2 中国市场主要专利技术输入国申请趋势及布局领域…………… 69
3. 2. 3 中国市场主要专利技术输入国授权趋势及布局领域…………… 71
3. 3 氘代产品中国市场专利技术创新主体分析…………………………… 73
3. 3. 1 中国市场专利技术创新主体排名………………………………… 73
3. 3. 2 氘代产品中国市场重点技术创新主体排名……………………… 75
3. 3. 3 氘代产品中国市场创新主体类型分析…………………………… 78
3. 3. 4 中国市场含能材料规模企业分析………………………………… 80
3. 4 氘代产品中国市场专利法律状态及运营分析………………………… 84
3. 4. 1 氘代产品中国市场专利授权情况分析…………………………… 84
3. 4. 2 氘代产品中国市场有效专利分析………………………………… 85
3. 4. 3 氘代产品中国市场专利运营分析………………………………… 86
3. 5 小 结…………………………………………………………………… 91
第4 章 氘代产品关键技术…………………………………………………… 94
4. 1 氘代产品技术发展路线………………………………………………… 94
4. 1. 1 氘代药物技术发展路线…………………………………………… 94
4. 1. 2 氘代光电材料技术发展路线……………………………………… 99
4. 1. 3 氘代聚合物技术发展路线……………………………………… 105
4. 1. 4 氘代含能材料技术发展路线…………………………………… 113
4. 2 氘代产品专利布局热点和空白点…………………………………… 118
4. 2. 1 氘代药物专利布局热点和空白点……………………………… 119
4. 2. 2 氘代光电材料专利布局热点…………………………………… 126
4. 3 氘代产品重要专利分析……………………………………………… 131
4. 3. 1 重要专利评价标准及基本信息………………………………… 131
4. 3. 2 重要专利运营分析……………………………………………… 146
4. 3. 3 创新主体分析…………………………………………………… 147
4. 4 小 结………………………………………………………………… 148
第5 章 代表性创新主体……………………………………………………… 150
5. 1 氘代光电材料全球领跑者———韩国三星集团……………………… 150
5. 1. 1 三星集团氘代产品领域专利申请总体趋势…………………… 150
5. 1. 2 三星集团氘代产品专利布局区域分布………………………… 151
5. 1. 3 三星集团氘代产品重点技术分析……………………………… 152
5. 1. 4 三星集团氘代光电材料的研发热点…………………………… 154
5. 2 氘代光电材料新生力量———吉林奥来德…………………………… 156
5. 2. 1 吉林奥来德氘代产品专利申请总体趋势……………………… 156
5. 2. 2 吉林奥来德氘代产品重点技术分析…………………………… 157
5. 2. 3 吉林奥来德氘代光电材料专利研发热点……………………… 158
5. 3 氘代药物先驱———美国CONCERT 公司…………………………… 160
5. 3. 1 美国CONCERT 公司氘代药物专利申请总体趋势…………… 160
5. 3. 2 美国CONCERT 公司氘代药物专利布局区域………………… 161
5. 3. 3 美国CONCERT 公司氘代药物重点技术分析………………… 162
5. 3. 4 美国CONCERT 公司氘代药物专利研发热点………………… 162
5. 4 氘代药物研发先锋———泽璟制药…………………………………… 166
5. 4. 1 泽璟制药氘代药物专利申请总体趋势………………………… 167
5. 4. 2 泽璟制药氘代药物专利布局区域……………………………… 167
5. 4. 3 泽璟制药氘代药物重点技术分析……………………………… 168
5. 4. 4 泽璟制药氘代药物专利研发热点……………………………… 169
5. 5 小 结………………………………………………………………… 172
第6 章 主要结论与建议……………………………………………………… 175
6. 1 氘代产品技术发展及专利布局现状………………………………… 175
6. 2 氘代产品创新主体现状……………………………………………… 177
6. 3 氘代产品关键技术创新状况………………………………………… 178
6. 4 氘代产品中国专利法律状态及运营状况…………………………… 179
6. 5 国内创新主体布局建议……………………………………………… 180
附 录…………………………………………………………………………… 183
后 记…………………………………………………………………………… 261
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