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本书主要内容是介绍TO2光催化剂的局限性，以及利用构筑TiO2基纳米异质结来提高其光电化学性能。具体包括通过水热法、阳极氧化等方法制备m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等纳米异质结光催化剂，分析它们的电荷转移机制和光电化学性能。

本书旨在系统探讨超快光谱在半导体纳米异质结电荷转移与光电化学性能方面的应用，主要内容包括纳米异质结复合体系的构筑与表征，TiO2/Au/Cu2O纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学行为，TiO2/BiVO4纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学行为，TiO2/Mo2S纳米管复合体系表(界)面紫外光生电荷动力学

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《LED驱动与应用电路设计及案例分析》针对电子电路应用设计实务中的痛点和难点,通过案例举一反三,使读者能快速掌握分析和解决问题的方法和思路。全书的编排设计始终遵循以读者为中心、成果导向和持续改进的理念,以培养应用型的工程技术人员为目标,贯穿于整个电子产品设计的全过程。全书采用案例式教学,通过问题引导的方式帮助读者积累知

本书是国外学者们对宽禁带半导体封装技术和趋势的及时总结。首先，对宽禁带功率器件的发展趋势做了总结和预演判断，讲述宽禁带功率半导体的基本原理和特性，包括其独特的物理和化学属性，以及它们在极端环境下的潜在优势。接着介绍封装材料的选择和特性，分别就互连技术和衬底展开论述，同时，介绍了磁性材料，并对不同材料结构的热性能，以及冷

以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件具有导通电阻低、击穿电压高、开关速度快及热传导性好等优点，相比传统的Si基功率器件，可简化功率电子系统拓扑结构，减小系统损耗和体积，因而对功率电子系统的发展至关重要。然而，由于宽禁带器件的外延材料和制备工艺仍不完善，器件界面缺陷密度大等问题，使得宽禁带功率器件在高温、高

"本书基于作者团队多年的光刻工艺（包括先进光刻工艺）研发经验，从集成电路工厂的基本结构、半导体芯片制造中常用的控制系统、图表等基本内容出发，依次介绍光刻基础知识，一个6晶体管静态随机存储器的电路结构与3个关键技术节点中SRAM制造的基本工艺流程，光刻机的发展历史、光刻工艺8步流程、光刻胶以及掩模版类型，光刻工艺标准化与

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《低维半导体材料及其信息能源器件》讲述了低维半导体材料与器件的制备与构筑及其在电子信息和绿色能源领域的新颖应用。全书共7章，涵盖了低维材料的生长和表征、二维半导体材料在触觉传感器的应用、二维过渡金属硫化合物感通融器件、二维过渡金属硫化物的纳米光子学和光电子学、二维半导体材料材料非易失性阻变存储器和射频开关、四/五主族二