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本书共7章，主要介绍了改性锗半导体物理的相关内容，包括Ge带隙类型转变理论、改性锗半导体能带与迁移率理论、改性锗能带调制理论、改性锗半导体光学特性理论以及改性锗MOS反型层能带与迁移率理论等。通过本书的学习，可为读者以后学习改性锗器件物理奠定重要的理论基础。本书可作为高等院校微电子学与固体电子学专业研究生的参考书，也可

本书研究MCSH结构中电子波矢过滤、磁阻与巨磁阻、电子自旋过滤等重要量子效应，包括量子调控及其可能电子器件应用。全书由四章组成。第一章绪论，简单介绍MCSH结构，以及研究MCSH结构中电子输运的改进转移矩阵方法和Landauer-Büttiker微结构电导理论。第二章关于MCSH结构中电子波矢过滤效应、调控及其在电子动

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