氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强，可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求，在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔，但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系，且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此，本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件

IGCT具有通态压降低、容量大、可靠性高、鲁棒性好等有点，目前已应用在直流断路器、模块化多电平变换器、牵引系统变换器等应用场景。本书围绕IGCT器件，分别展开介绍半导体物理基础及工作原理、阻断特性、开通与导通特性、关断特性、封装、驱动、可靠性及应用。同时，在各章中穿插IGCT的关键工艺技术，如深结推进、边缘终端、质子辐

本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲

本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后，本书重点介绍了各种主流技术，详述了它们的现状、挑战和机遇，并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器

。本册为《半导体工艺原理》，主要内容包括：锗和硅的化学制备与提纯、半导体材料的生长、硅片加工、氧化工艺、薄膜沉积工艺、外延工艺、光刻工艺概述、光刻设备、光刻材料、刻蚀工艺、掺杂工艺等。

本书系统总结具有电子相变特性的过渡族化合物半导体材料体系，详细介绍其晶体结构、电输运与磁性、电子相转变原理、材料合成与潜在应用等。全书共12章，其中第1章总述现有电子相变材料体系以及常见电子相变原理。由于具有相同的价电子数的过渡族元素的化合物中的轨道构型具有一定相近性，第2～11章将进一步按照副族周期元素对三十余种电子

第一章介绍了光子计算机发展的历史以及神经网络的概念。第二章重点介绍了物理储层计算的原理，以及一些与光子计算相关的重要概念——品质因数、拓扑网络、线性和非线性记忆容量。第三章介绍了储层集成的最新技术，主要集中在被动架构的实现，以及如何通过光电探测器实现非线性变换的原理。第四章介绍了大规模光子储层的潜力，重点讨论了几种可以

本书共8章。其中，第1章介绍Si基GaN材料与芯片的研究意义，着重分析了GaN材料的性质和Si基GaN外延材料与芯片制备的发展历程。第2章从Si基GaN材料的外延生长机理出发，依次介绍了GaN薄膜、零维GaN量子点、一维GaN纳米线和二维GaN生长所面临的技术难点及对应的生长技术调控手段。第3～7章依次介绍了Si基Ga

本教程在简要介绍MOSFET场效应晶体管器件结构和工作原理的基础上，全面叙述了MOSFET基本电学特性和二阶效应；介绍了MOSFET器件模型及建模测试结构和方案设计；给出了MOSFETBSIM模型参数提取流程；介绍了半导体器件SPICE模型建模平台EmpyreanXModel，深入介绍了XModel的基本功能和界面；介

本书主要介绍薄膜晶体管（TFT）集成电路技术领域的基础知识和作者在该领域的代表性研究成果。内容涵盖图像显示和图像传感器件所需的TFT集成电路技术，如像素TFT电路、行驱动（扫描）TFT电路以及列（数据）驱动TFT电路等。全书共5章，分别为：薄膜晶体管（TFT）概述，有源矩阵液晶显示（AMLCD）TFT电路，有源矩阵有机